4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य का विवरण
हेफ़नियम डाइऑक्साइड लक्ष्य सामग्री उच्च शुद्धता वाले हेफ़नियम डाइऑक्साइड (HfO₂) से बनी एक कार्यात्मक सामग्री है, जिसका उपयोग मुख्य रूप से भौतिक वाष्प जमाव (PVD) और मैग्नेट्रोन स्पटरिंग जैसी पतली फिल्म जमाव प्रक्रियाओं में किया जाता है। इसकी मुख्य विशेषताओं में उच्च गलनांक, उत्कृष्ट रासायनिक स्थिरता, बेहतर विद्युत इन्सुलेशन गुण और विशिष्ट तरंग दैर्ध्य सीमाओं के भीतर ऑप्टिकल पारदर्शिता शामिल हैं। जमा फिल्मों की एकरूपता, उनके ऑप्टिकल प्रदर्शन और डिवाइस की विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए उच्च शुद्धता मौलिक है, क्योंकि अशुद्धियाँ फिल्म दोषों का कारण बन सकती हैं। लक्ष्य सामग्री की गुणवत्ता की स्थिरता सीधे जमाव प्रक्रिया की प्रतिलिपि प्रस्तुत करने योग्यता और अंतिम उत्पाद की उपज से संबंधित है। सेमीकंडक्टर, ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक और उन्नत विनिर्माण प्रौद्योगिकियों की निरंतर प्रगति के साथ, उच्च प्रदर्शन हेफ़नियम डाइऑक्साइड लक्ष्य की मांग लगातार बढ़ रही है, जो व्यापक बाजार संभावनाएं पेश कर रही है।
4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य के अनुप्रयोग
सेमीकंडक्टर विनिर्माण: एक उच्च -ढांकता हुआ {{1}निरंतर (उच्च -k) सामग्री के रूप में, इसका उपयोग उन्नत ट्रांजिस्टर गेट इंसुलेटर के निर्माण में किया जाता है, जो उन्नत डिवाइस प्रदर्शन और लघुकरण में योगदान देता है।
ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरण: अपने असाधारण ऑप्टिकल गुणों जैसे उच्च अपवर्तक सूचकांक और कम अवशोषण हानि के कारण इसे व्यापक रूप से एंटी-रिफ्लेक्टिव परतों, ऑप्टिकल फिल्टर, लेजर घटकों और उच्च प्रदर्शन वाली ऑप्टिकल फिल्मों के उत्पादन के लिए ऑप्टिकल कोटिंग्स में उपयोग किया जाता है।
विशेष सिरेमिक और कोटिंग्स: अपनी उच्च कठोरता और पहनने के प्रतिरोध का लाभ उठाते हुए, यह उन्नत सिरेमिक सामग्रियों के साथ-साथ उच्च तापमान और संक्षारण को सहन करने में सक्षम सुरक्षात्मक कोटिंग्स के निर्माण में कार्य करता है।
फ्रंटियर रिसर्च: क्वांटम कंप्यूटिंग जैसे उभरते क्षेत्रों में, हेफ़नियम डाइऑक्साइड क्वैबिट्स के लिए ढांकता हुआ सामग्री के रूप में अनुप्रयोग की क्षमता प्रदर्शित करता है।
4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य के विनिर्देश
शुद्धता: 99.9%,99.99%;
उत्पादन विधि: हॉट प्रेस सिंटरिंग
उपलब्ध आयाम:
गोलाकार: व्यास 14 इंच से कम या उसके बराबर, मोटाई 3 मिमी से अधिक या उसके बराबर;
आयताकार: लंबाई 14 इंच से कम या उसके बराबर, चौड़ाई 10 इंच से कम या उसके बराबर, मोटाई 3 मिमी से अधिक या उसके बराबर।
बांड का प्रकार: इंडियम
4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य का गुणवत्ता नियंत्रण और परीक्षण
4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य के लिए अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
क्या आप एक फ़ैक्टरी या aनिर्माता?
उत्तर: हाँ, हम एक 4N HfO2 स्पटरिंग टारगेट फैक्ट्री हैं, लेकिन हम आम तौर पर विदेश में व्यापार को संभालने के लिए अपनी ट्रेडिंग कंपनी का उपयोग करते हैं। प्रेषण प्राप्त करना और शिपमेंट की व्यवस्था करना अधिक सुविधाजनक होगा।
डिलीवरी का तरीका क्या है?
उत्तर: आम तौर पर, हम यूपीएस, डीएचएल, या फेडेक्स द्वारा 4एन एचएफओ2 स्पटरिंग लक्ष्य भेजते हैं। इसके अलावा, हम समुद्र के रास्ते बंदरगाह तक या हवाई मार्ग से निकटतम हवाई अड्डे तक भेज सकते हैं।
आपका 4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य इतना लागत प्रभावी क्यों है?
उत्तर: हम विनिर्माण प्रक्रिया के अंत तक बिचौलियों को हटा देते हैं, और हम सीधे उसके स्रोत से कच्चा माल प्राप्त करते हैं।
क्या आप मौके पर गुणवत्ता का निरीक्षण करते हैं?उत्पादों?
उत्तर: निश्चित रूप से 100% पूर्ण निरीक्षण। सभी अयोग्य 4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य खारिज कर दिए जाते हैं।
आप अपना लीड टाइम कैसे सुनिश्चित करते हैं?
उत्तर: सामग्री की तैयारी से लेकर मशीनिंग तक और अंत में पूर्ण निरीक्षण तक। आपको सटीक डिलीवरी समय देने के लिए उत्पादन के हर चरण की कड़ाई से निगरानी और नियंत्रण किया जाता है।
4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य का MOQ क्या है?
ए: 4एन एचएफओ2 स्पटरिंग लक्ष्य की मात्रा पर निर्भर करता है; आम तौर पर, कोई MOQ सीमा नहीं।
इसका भुगतान कैसे करेंउत्पाद?
उत्तर: बैंक हस्तांतरण (टी/टी) स्वीकार्य होगा।
डिलीवरी का समय क्या है?
उत्तर: लगभग 7-20 दिन, जो 4एन एचएफओ2 स्पटरिंग लक्ष्य की मात्रा और उत्पादन पर निर्भर करता है।
यह किस प्रकार का पैकेज है?
उत्तर: आम तौर पर, हम 4N HfO2 स्पटरिंग लक्ष्य की सुरक्षा सुनिश्चित करने के लिए अंदर सुरक्षात्मक सामग्री वाले कार्टन केस या प्लाईवुड केस का उपयोग करते हैं।
लीड टाइम क्या है?
उत्तर: ऑर्डर दिए जाने से लेकर कार्गो प्राप्त होने तक लगभग 10-25 दिन लगेंगे।
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