क्रिस्टल फर्नेस के लिए टंगस्टन हीट शील्ड
क्रिस्टल फर्नेस के लिए टंगस्टन हीट शील्ड

क्रिस्टल फर्नेस के लिए टंगस्टन हीट शील्ड

क्रिस्टल फर्नेस के लिए टंगस्टन हीट शील्ड को आम तौर पर 1100 डिग्री सेल्सियस से अधिक तापमान वाली भट्टियों के लिए माना जाता है (साइड स्क्रीन और ऊपरी और निचले कवर स्क्रीन सहित)। भट्ठी में इन्सुलेशन घटकों के रूप में, मोलिब्डेनम और टंगस्टन प्रतिबिंब स्क्रीन और ऊपरी और निचले कवर प्लेटों की मुख्य भूमिका भट्ठी के अंदर गर्मी को अवरुद्ध और प्रतिबिंबित करना है।
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उत्पाद विवरण

 

क्रिस्टल फर्नेस के लिए टंगस्टन हीट शील्ड को आम तौर पर 1100 डिग्री सेल्सियस से अधिक तापमान वाली भट्टियों के लिए माना जाता है (साइड स्क्रीन और ऊपरी और निचले कवर स्क्रीन सहित)। भट्ठी में इन्सुलेशन घटकों के रूप में, मोलिब्डेनम और टंगस्टन प्रतिबिंब स्क्रीन और ऊपरी और निचले कवर प्लेटों की मुख्य भूमिका भट्ठी के अंदर गर्मी को अवरुद्ध और प्रतिबिंबित करना है।

 

टंगस्टन/वोल्फ्राम हीट शील्ड का उद्देश्य टंगस्टन क्रूसिबल के अंदर तापमान को बनाए रखना और बाहर के लोगों को चोट लगने से बचाना है। टंगस्टन हीट शील्ड 99.95% से अधिक शुद्धता वाली टंगस्टन शीट से बनी होती है। नीलम वृद्धि भट्टियों में टंगस्टन हीट शील्ड की उत्पादन प्रक्रिया हाइड्रोस्टेटिक कॉम्पैक्शन द्वारा टंगस्टन पाउडर का उपयोग करके और उच्च तापमान पर सिन्टर करके की जाती है। नीलम वृद्धि भट्टियों में उपयोग किए जाने वाले टंगस्टन हीट शील्ड को हॉट रोल्ड और कोल्ड रोल्ड द्वारा बनाया जा सकता है।

नीलम वृद्धि भट्टियों में टंगस्टन हीट शील्ड की उत्पादन प्रक्रिया हाइड्रोस्टेटिक कॉम्पैक्शन द्वारा टंगस्टन पाउडर का उपयोग कर रही है और उच्च तापमान पर सिंटर करके अनग्राउंडेड टंगस्टन प्लेट तैयार कर रही है। नीलम वृद्धि भट्टी में उपयोग करने के अलावा, टंगस्टन शीट का उपयोग इलेक्ट्रिक लाइट के वैक्यूम भागों और वैक्यूम कोटिंग कंटेनरों में भी किया जा सकता है।

टंगस्टन हीट शील्ड नीलम क्रिस्टल विकास भट्ठी के अनुप्रयोग के लिए अच्छा हीट शील्ड उपयोग प्रदान करता है।

 

विनिर्देश

 

टंगस्टन कवर प्लेट्स

टंगस्टन हीट शील्ड/ सिंगल शीट

शीट की मोटाई

व्यास (अधिकतम)

शीट की मोटाई

व्यास(अधिकतम)

ऊंचाई(अधिकतम)

2.0±0.1

660±0.2

2.0±0.1

450±2

660±1

1.0±0.08

660±0.2

1.0±0.08

610±2

660±1

0.5±0.04

660±0.2

0.5±0.04

700±2

660±1

 

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